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| 1996 |
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茂德科技成立 |
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| 1997 |
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0.35μm 通過驗證 |
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| 1998 |
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0.25μm 64Mb SDRAM 量產 |
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| 1999 |
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0.20μm 64Mb SDRAM 量產 |
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茂德科技上櫃 |
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| 2000 |
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0.17μm 128Mb SDRAM 量產 |
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| 2001 |
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首批十二吋晶圓投片試產 |
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0.14μm 256Mb量產 |
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| 2002 |
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十二吋晶圓廠進入量產 |
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| 2003 |
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256Mb 獲 INTEL 認證通過 |
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512Mb 獲 INTEL 認證通過 |
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整合茂矽集團公司的 DRAM 核心技術資源，成為自主研發、品牌與產銷能力的全方位記憶體大廠 |
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成立「前瞻技術研發中心」 |
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韓國海力士半導體公司與茂德科技簽訂技術授權備忘錄 |
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| 2004 |
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茂德科技中科晶圓三廠動土興建 |
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0.12 微米 256Mb DDR DRAM 獲國際一線 OEM 客戶認證通過 |
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| 2005 |
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茂德第二座十二吋晶圓廠(晶圓三廠)落成啟用 90 奈米堆疊型製程技術量產 |
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韓國海力士半導體公司與茂德科技簽訂長期策略聯盟合約 |
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| 2006 |
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茂德第三座十二吋晶圓廠(晶圓四廠)舉行動土典禮 |
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| 2007 |
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茂德第三座十二吋晶圓廠(晶圓四廠) 70奈米堆疊型製程技術量產 |
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成立產品研發中心 |
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| 2008 |
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韓國海力士半導體公司與茂德科技簽訂策略聯盟合約 |
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